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國(guó)產(chǎn)AI芯片自強(qiáng)自立步伐加速!科創(chuàng)芯片ETF富國(guó)(588810)盤中漲幅達(dá)4.36%

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2025-11-06 10:58:13

今天芯片板塊震蕩攀升,其中第四代半導(dǎo)體、存儲(chǔ)芯片、AI芯片等細(xì)分方向領(lǐng)漲,截至發(fā)稿,科創(chuàng)芯片ETF富國(guó)(588810)盤中漲幅達(dá)4.36%,芯片龍頭ETF(516640)盤中漲幅達(dá)3.58%。其中科創(chuàng)芯片ETF富國(guó)成分股源杰科技漲超15%,海光信息漲超8%,寒武紀(jì)漲超5%。

有分析指出,在外部限制或?qū)⒓哟a的背景下,國(guó)內(nèi)將加快科技自立自強(qiáng)步伐,國(guó)產(chǎn)替代與自主可控進(jìn)程或?qū)⑦M(jìn)一步加速,拉動(dòng)半導(dǎo)體材料增量需求。

此外,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)迎來(lái)漲價(jià)潮,SK海力士表示,已與英偉達(dá)就明年HBM4的供應(yīng)完成了價(jià)格和數(shù)量談判。消息人士稱:“HBM4的供應(yīng)價(jià)格將比HBM3E高出50%以上。隔夜美股存儲(chǔ)板塊大漲,希捷科技和閃迪周三雙雙漲超10%,美光科技漲近9%,西部數(shù)據(jù)漲超5%。機(jī)構(gòu)分析指出,存儲(chǔ)芯片漲價(jià)疊加長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)大幅擴(kuò)產(chǎn)以及HBM3產(chǎn)品的交付有望進(jìn)一步帶動(dòng)上游材料端需求持續(xù)增長(zhǎng)。

科創(chuàng)芯片ETF富國(guó)(588810)緊密跟蹤科創(chuàng)芯片指數(shù),該指數(shù)的選股范圍聚焦于科創(chuàng)板芯片企業(yè),實(shí)行 20CM 漲跌幅限制。沒有場(chǎng)內(nèi)賬戶的投資者可以關(guān)注該產(chǎn)品的聯(lián)接基金(A 類023651; C 類023652)。

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