消息面，近期存儲漲價持續(xù)，存儲產(chǎn)能供不應求有望在2026年持續(xù)。當?shù)貢r間1月25日，據(jù)媒體報道，三星電子在今年第一季度將NAND閃存的供應價格上調了100%以上，這一漲幅遠超市場此前預期，凸顯了當前半導體市場嚴重的供需失衡現(xiàn)狀。報道稱，三星電子目前已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。

存儲強勢疊加AI催化，聚焦上游半導體設備領域的半導體設備ETF（159516）大漲超2%。資金持續(xù)搶籌，近20日凈流入近100億元，當前規(guī)模近200億元，居同類產(chǎn)品第一。

行情面上，半導體設備ETF（159516）標的指數(shù)成分股迎來普漲，從前十大成分股來看，整體表現(xiàn)均飄紅，其中，芯源微大漲超14%，安集科技大漲超4%。

截至11：01，成分股僅做展示使用，不構成投資建議

近年來，隨著AI算力爆發(fā)與國產(chǎn)替代浪潮的持續(xù)推進，半導體設備行業(yè)已進入高景氣成長周期。本文將從行業(yè)基本面、國產(chǎn)替代進程、需求雙引擎、技術趨勢演進等維度，帶您系統(tǒng)梳理半導體設備賽道的核心投資邏輯。

【行業(yè)景氣上行，國產(chǎn)替代空間廣闊】

半導體設備是芯片制造的基石，當前全球行業(yè)規(guī)模穩(wěn)步增長，中國市場占比已達40%，增速領先全球。國產(chǎn)設備在刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)已實現(xiàn)技術突破，但光刻等高端設備仍依賴進口，替代空間巨大。

數(shù)據(jù)來源：semi

半導體設備行業(yè)與芯片產(chǎn)能擴張直接相關，屬于典型的科技制造上游。全球設備市場規(guī)模常年保持增長，主要受益于消費電子、汽車電子、AI算力等終端需求的持續(xù)放量。中國已成為全球最大的半導體設備市場，占全球銷售額約40%，其高增長不僅源于需求拉動，更關鍵的是在國家自主可控戰(zhàn)略下，國內(nèi)晶圓廠積極采購國產(chǎn)設備，為本土廠商提供了寶貴的驗證與放量機會。

從設備結構看，晶圓制造設備占據(jù)90%份額，其中薄膜沉積、光刻、刻蝕三大核心工藝各占20%左右，技術壁壘與價值量最高。當前國產(chǎn)替代呈現(xiàn)結構性分化：刻蝕設備國產(chǎn)化率約28%，薄膜沉積約20%，已具備批量供貨能力；而高端光刻機仍完全依賴進口，成為制約先進制程的“卡脖子”環(huán)節(jié)，也是未來最具成長潛力的攻堅領域。

【雙重引擎驅動，需求端持續(xù)爆發(fā)】

先進制程擴產(chǎn)與存儲芯片擴產(chǎn)共同構成行業(yè)需求雙引擎。GPU放量拉動先進制程設備需求，AI帶來的存儲供需錯配則推動存儲產(chǎn)線投資，兩者均直接利好半導體設備訂單。

需求側的邏輯已從單一的“自主可控”轉向“全球AI驅動+國產(chǎn)替代”雙輪驅動。

一方面，先進制程擴產(chǎn)主要由GPU與高端消費電子芯片推動。海外英偉達等公司芯片已進入4nm/3nm階段，國內(nèi)GPU廠商多采用7-14nm制程，伴隨AI算力建設加速，先進制程產(chǎn)能供不應求，帶動光刻、刻蝕、薄膜沉積等高端設備需求激增。

另一方面，存儲擴產(chǎn)成為新一輪設備采購的重要拉動力。AI訓練對存儲帶寬與容量提出極高要求，HBM（高帶寬內(nèi)存）需求爆發(fā)，同時傳統(tǒng)DRAM、NAND因產(chǎn)能結構性調整出現(xiàn)供需錯配，價格大幅上漲。2026年Q1 DRAM合約價預計漲幅達50%-60%，刺激存儲廠商加快擴產(chǎn)步伐。存儲產(chǎn)線國產(chǎn)化率相對較高，且設備需求以刻蝕、薄膜沉積為主，恰恰是國產(chǎn)優(yōu)勢環(huán)節(jié)，訂單能見度顯著提升。

【存儲3D化趨勢，提升設備價值量與國產(chǎn)受益程度】

存儲芯片從2D向3D堆疊演進，制造中刻蝕、薄膜沉積步驟大幅增加，相關設備價值量占比提升，進一步利好國產(chǎn)設備廠商。

數(shù)據(jù)來源：智研咨詢

3D NAND通過垂直堆疊存儲單元提升容量，已成為主流技術方向。堆疊層數(shù)從早期的幾十層發(fā)展至目前300層以上，未來有望突破1000層。這一過程中，刻蝕工藝需挖出極深且高深寬比的通孔，薄膜沉積則需實現(xiàn)均勻的層間絕緣與導電層堆疊，兩者步驟數(shù)成倍增加，帶動設備需求量與單價齊升。

數(shù)據(jù)來源：交銀國際

更重要的是，3D化改變了設備需求結構：光刻步驟在存儲產(chǎn)線中的占比相對下降，而刻蝕與薄膜沉積的占比顯著提升。目前國產(chǎn)設備在這兩個環(huán)節(jié)已有較強競爭力，中微公司、北方華創(chuàng)等在刻蝕與CVD設備上已實現(xiàn)批量交付。因此，存儲擴產(chǎn)+3D化趨勢實際上強化了國產(chǎn)設備的話語權，放大了其在產(chǎn)業(yè)鏈中的受益彈性。

【行情邏輯重構：從國產(chǎn)替代到全球算力映射】

半導體設備板塊的驅動邏輯已從單純的國內(nèi)替代，升級為與全球AI算力周期強關聯(lián)。海外存儲龍頭資本開支提升，直接催化國內(nèi)設備公司預期。

過去市場將半導體設備視為純粹的國產(chǎn)替代主題，行情隨政策與國內(nèi)晶圓廠招標節(jié)奏波動。但當前階段，行業(yè)邏輯發(fā)生重要轉變：存儲擴產(chǎn)的核心驅動力來自全球AI算力建設，海外GPU出貨量、存儲巨頭資本開支計劃等已成為預判國內(nèi)設備公司訂單的重要先行指標。

例如，美光、海力士等企業(yè)上調資本開支，預示存儲產(chǎn)能擴張加速，往往帶動A股設備板塊情緒上揚。這意味著半導體設備板塊與海外算力鏈（如光模塊、PCB）類似，具備了“全球需求、中國供給”的產(chǎn)業(yè)映射特征。這種邏輯拓寬了行業(yè)的成長空間，也使得板塊走勢與全球科技周期關聯(lián)更加緊密，提升了行情的持續(xù)性與可跟蹤性。

【聚焦投資工具：半導體設備ETF（159516）為核心配置載體】

半導體設備ETF（159516）覆蓋設備與材料龍頭，規(guī)模大、流動性佳，是高效布局設備賽道的工具。板塊當前估值分位低于芯片設計類指數(shù)，具備配置性價比。

從投資布局角度看，半導體設備賽道專業(yè)性強、細分環(huán)節(jié)多，個股波動較大，通過ETF布局可分散風險，把握行業(yè)整體機遇。半導體設備ETF（159516）持倉集中于刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測等環(huán)節(jié)的國內(nèi)龍頭企業(yè)，同時在半導體材料領域布局約24%權重，涵蓋硅片、光刻膠、特種氣體等關鍵材料公司。

半導體設備ETF（159516）是目前市場規(guī)模最大、流動性最佳的半導體設備主題產(chǎn)品，資金進出便利。從估值角度看，當前設備板塊經(jīng)過調整，估值分位處于歷史中低水平，相比漲幅較大的芯片設計類指數(shù)，安全邊際更優(yōu)，且未來業(yè)績能見度高。

數(shù)據(jù)來源：中證指數(shù)公司，截止2025年1月26日。指數(shù)成分股僅供參考，不代表投資建議。

總結而言，半導體設備行業(yè)正處于“全球AI需求爆發(fā)+國產(chǎn)替代突破+技術迭代升級”三期疊加的景氣階段。建議投資者淡化短期波動，關注設備招標進展、海外存儲龍頭資本開支動向及國產(chǎn)高端設備突破進展，通過半導體設備ETF（159516）進行中長期配置，分享行業(yè)成長紅利。

風險提示：數(shù)據(jù)來源ifind，截至2025.1.26，半導體設備ETF規(guī)模為199.63億，在跟蹤同一指數(shù)的5只ETF產(chǎn)品中排名第一。提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構成任何個股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調整，不構成投資建議或承諾。提及基金風險收益特征各不相同，敬請投資者仔細閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風險等級及收益分配原則，選擇與自身風險承受能力匹配的產(chǎn)品，謹慎投資。