每經(jīng)記者｜朱成祥    每經(jīng)編輯｜楊翼    

2026年3月25日—27日，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)SEMICON China，如期在上海新國際博覽中心舉行。作為當(dāng)下最具影響力的半導(dǎo)體展會(huì)，本屆SEMICON China不僅吸引了中微公司、北方華創(chuàng)、盛美上海等國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備巨頭，也匯聚了ASML（阿斯麥）、TEL（泰科電子）、愛德萬測(cè)試以及漢高等國際半導(dǎo)體設(shè)備、材料龍頭。

3月25日，在SEMICON China召開期間，漢高半導(dǎo)體封裝全球市場(chǎng)負(fù)責(zé)人Ram Trichur接受了《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者專訪。

公開資料顯示，漢高是一家總部位于德國杜塞爾多夫的全球性企業(yè)，成立于1876年。在全球工業(yè)和消費(fèi)品領(lǐng)域，漢高處于領(lǐng)先地位，業(yè)務(wù)組合涵蓋美發(fā)、洗滌劑及家用護(hù)理產(chǎn)品，以及粘合劑、密封劑和功能性涂料。Ram Trichur負(fù)責(zé)漢高半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)業(yè)務(wù)的關(guān)鍵戰(zhàn)略與財(cái)務(wù)目標(biāo)，他在微電子行業(yè)已擁有超過20年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)。

Ram Trichur表示：“半導(dǎo)體行業(yè)正站在一個(gè)歷史性轉(zhuǎn)折點(diǎn)上，AI（人工智能）的爆發(fā)式增長已將先進(jìn)封裝從幕后推至舞臺(tái)中央。作為全球封裝材料領(lǐng)域的深度參與者，我們看到的不只是技術(shù)節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)，而是一場(chǎng)從系統(tǒng)架構(gòu)到材料范式的根本性重構(gòu)。漢高的使命是以前瞻性的材料創(chuàng)新，為這場(chǎng)變革鋪路，在性能、可靠性與可持續(xù)性之間構(gòu)建新的平衡，攜手行業(yè)伙伴共同定義后摩爾時(shí)代的芯片集成新范式。”

2.5D/3D封裝助推AI應(yīng)用落地

在Ram Trichur看來，如今，2.5D/3D封裝能夠帶來超越前道工藝的產(chǎn)品性能提升收益，因此變得至關(guān)重要。目前，這一技術(shù)主要應(yīng)用于兩大細(xì)分領(lǐng)域：數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)端或邊緣設(shè)備端。在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，2.5D/3D封裝對(duì)于用于訓(xùn)練、推理以及網(wǎng)絡(luò)通信的AI處理器至關(guān)重要，同時(shí)，3D封裝對(duì)HBM（高帶寬存儲(chǔ)）及先進(jìn)器件也發(fā)揮著關(guān)鍵作用。而在移動(dòng)端或邊緣設(shè)備領(lǐng)域，這一技術(shù)正以不同方式被應(yīng)用于高端和旗艦級(jí)智能手機(jī)的移動(dòng)處理器中。

隨著AI應(yīng)用日益廣泛，封裝領(lǐng)域正經(jīng)歷著架構(gòu)上的深刻轉(zhuǎn)變。Ram Trichur指出，無論是在數(shù)據(jù)中心還是移動(dòng)端，2.5D/3D封裝技術(shù)的發(fā)展，加速了AI應(yīng)用的廣泛落地。

談及當(dāng)前2.5D/3D封裝面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)，Ram Trichur表示，AI處理器與移動(dòng)處理器，這兩大領(lǐng)域呈現(xiàn)出不同的難點(diǎn)。在AI處理器方面，巨大的封裝尺寸下，需要處理邏輯芯片和存儲(chǔ)器的集成，這意味著必須應(yīng)對(duì)更為嚴(yán)重的翹曲問題和應(yīng)力問題。功耗方面，目前，AI處理器的功耗要求已達(dá)千瓦級(jí)別，散熱架構(gòu)將因此發(fā)生根本性改變。即便目前存儲(chǔ)器尚處于HBM4階段，未來也將向HBM4E發(fā)展，并最終過渡到HBM5，熱管理挑戰(zhàn)日益凸顯。

Ram Trichur向《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者進(jìn)一步指出，在移動(dòng)端，AI被集成到移動(dòng)AP（應(yīng)用處理器）后，處理器計(jì)算量大幅增加，熱量也隨之增多?？蛻粽龑で笠环N新型的“偏置”架構(gòu)，將邏輯芯片與存儲(chǔ)器分置兩側(cè)。為應(yīng)對(duì)這些需求，漢高正通過開發(fā)新型封裝架構(gòu)和新型鍵合層來幫助導(dǎo)出熱量。例如，使用能夠高效散熱的導(dǎo)熱粘合劑，以及高導(dǎo)熱的液態(tài)模塑材料，這些材料能夠助力實(shí)現(xiàn)高密度、超小間距扇出型架構(gòu)。

AI工具賦能材料研發(fā)創(chuàng)新

據(jù)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者了解，與此同時(shí)，面對(duì)2.5D/3D封裝復(fù)雜性的提升，漢高正積極利用AI提升材料研發(fā)能力。

據(jù)Ram Trichur透露，目前，漢高使用AI工具主要集中在研發(fā)創(chuàng)新環(huán)節(jié)，且已實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。所有實(shí)驗(yàn)過程和數(shù)據(jù)采集均已實(shí)現(xiàn)數(shù)字化，研發(fā)人員已經(jīng)能夠使用先進(jìn)的AI系統(tǒng)來生成和上傳數(shù)據(jù)。

Ram Trichur表示，未來，公司期待利用這些系統(tǒng)進(jìn)行“預(yù)測(cè)性創(chuàng)新”。當(dāng)然，對(duì)于所有材料供應(yīng)商而言，這仍是一個(gè)極其遙遠(yuǎn)的終極目標(biāo)。漢高當(dāng)下所做的一切，正是在為打造這種AI能力奠定基礎(chǔ)。

而在快充、閃充熱潮以及車規(guī)級(jí)芯片高可靠性要求的背景下，漢高電子材料正發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

Ram Trichur指出，這一領(lǐng)域涵蓋功率分立器件與功率模組兩大方向。在小型快充應(yīng)用中，核心主要依賴功率分立器件，該領(lǐng)域正朝著寬禁帶高速第三代半導(dǎo)體演進(jìn)，如氮化鎵和碳化硅，這些新材料的大規(guī)模應(yīng)用對(duì)底層材料的散熱性能提出了更高要求。漢高在此構(gòu)建了極為完備的產(chǎn)品矩陣，涵蓋先進(jìn)的燒結(jié)材料以及傳統(tǒng)的高導(dǎo)熱芯片粘結(jié)材料等。

Ram Trichur進(jìn)一步介紹稱，在功率模組領(lǐng)域，客戶最關(guān)注的痛點(diǎn)，在于如何在全面提升系統(tǒng)散熱效率的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)輕量化并兼顧更優(yōu)的經(jīng)濟(jì)性。針對(duì)這一復(fù)雜訴求，漢高前瞻性地推出了基于銅界面的燒結(jié)技術(shù)的新材料解決方案，例如LOCTITE? ABLESTIK SSP? 2040，該方案專為芯片及模組貼裝應(yīng)用而設(shè)計(jì)，適用于包括裸銅表面的活性金屬釬焊（AMB）和直接覆銅（DBC）基板上的芯片貼裝及模塊級(jí)大面積燒結(jié)，在被動(dòng)和主動(dòng)熱循環(huán)測(cè)試條件下均表現(xiàn)出卓越的可靠性。

在節(jié)能減排方面，漢高將可持續(xù)性貫穿于產(chǎn)品開發(fā)全過程。Ram Trichur從三個(gè)維度闡釋了漢高在此方面的投入：首先，漢高正致力于將傳統(tǒng)的含PFAS（全氟和多氟烷基物質(zhì)）材料逐步轉(zhuǎn)換為不含PFAS的新產(chǎn)品；其次，在傳統(tǒng)芯片粘接材料中，更多地應(yīng)用回收再生的銀材料，幫助客戶在產(chǎn)業(yè)鏈中降低二氧化碳排放；第三，在材料開發(fā)應(yīng)用中更多地采用生物基材料，助力整個(gè)產(chǎn)業(yè)提高可回收與可再生性。

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