經(jīng)歷連續(xù)多日深度回調(diào)后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈今日開(kāi)盤(pán)下探后震蕩上揚(yáng)，截至收盤(pán)，上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)上漲2.4%，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲1.8%，中證芯片產(chǎn)業(yè)指數(shù)上漲1.6%，上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計(jì)主題指數(shù)上漲1.6%。

高盛近日發(fā)表報(bào)告指出，預(yù)期2027年傳統(tǒng)DRAM、NAND及HBM的供需狀況將比2026年更為緊張，且此緊張態(tài)勢(shì)將延續(xù)至2028年，這應(yīng)有助于存儲(chǔ)器公司在未來(lái)至少數(shù)年內(nèi)維持較高的盈利能力。該行認(rèn)為，市場(chǎng)尚未充分理解本輪存儲(chǔ)器上升周期的持續(xù)性，證據(jù)是多數(shù)存儲(chǔ)器類(lèi)股的本益比仍僅落在中個(gè)位數(shù)。