每經(jīng)AI快訊，記者從復(fù)旦大學(xué)獲悉，該校周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)從界面工程出發(fā)，在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了最大規(guī)模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗(yàn)證，并證明了其超快特性可延伸至亞10納米。相關(guān)研究成果12日發(fā)表于國(guó)際期刊《自然·電子學(xué)》。

該研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)了不依賴先進(jìn)光刻設(shè)備的自對(duì)準(zhǔn)工藝，結(jié)合原始創(chuàng)新的超快存儲(chǔ)疊層電場(chǎng)設(shè)計(jì)理論，成功實(shí)現(xiàn)了溝道長(zhǎng)度為8納米的超快閃存器件。該器件是目前國(guó)際最短溝道閃存器件，突破了硅基閃存物理尺寸極限，約15納米。（科技日?qǐng)?bào)）